
频率 800 MHz
额定电流 30 mA
漏源极电压Vds 14 V
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 14 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
封装 TO-253-4
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BF1100,215 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 14V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF1100,215 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT363 | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 14V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R | 当前型号 | |
型号: BF1100R,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-143R 200 Ta = 40CmW | 完全替代 | Trans RF MOSFET N-CH 14V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R | BF1100,215和BF1100R,215的区别 | |
型号: BF1100WR 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | BF1100WR N沟道MOSFET 14 30mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 MF 高速开关/低导通电阻 | BF1100,215和BF1100WR的区别 | |
型号: BF1100 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | BF1100 N沟道MOSFET 14 30mA SOT-143 marking/标记 M56 高速开关/低导通电阻 | BF1100,215和BF1100的区别 |