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BF1101WR,115

BF1101WR,115

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NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

Do you need a transistor that will operate at high frequencies? Then this RF amplifier from Semiconductors is perfect for you! Its maximum power dissipation is 200 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. Its maximum frequency is 1000 MHz. This RF power MOSFET has a minimum operating temperature of -65 °C and a maximum of 150 °C. This N channel RF power MOSFET operates in enhancement mode.

BF1101WR,115中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 7.00 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

测试电流 12 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 7 V

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-343

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1101WR,115引脚图与封装图
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在线购买BF1101WR,115
型号 制造商 描述 购买
BF1101WR,115 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R 搜索库存
替代型号BF1101WR,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： BF1101WR,115

品牌： NXP 恩智浦

封装： SC-82A N-Channel 200mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

当前型号

型号： BF1101WR

品牌： 恩智浦

封装：

完全替代

BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHz

BF1101WR,115和BF1101WR的区别

型号： BF1202WR,115

品牌： 恩智浦

封装： SOT343R N-Channel 0.2W

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型号： BF1201WR,115

品牌： 恩智浦

封装： CMPAK

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