锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BLF278,112

BLF278,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5Pin CDFM Bulk

RF Mosfet 2 N-Channel Dual Common Source 50V 100mA 108MHz 22dB 300W CDFM4


得捷:
RF FET 2 NC 125V 22DB SOT262A1


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5-Pin CDFM Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.005 to 0.225 GHz, 250 W, 16 dB, 50 V, VDMOS, SOT-262A1


BLF278,112中文资料参数规格
技术参数

频率 108 MHz

额定电流 18 A

耗散功率 500000 mW

输出功率 300 W

增益 22 dB

测试电流 100 mA

输入电容Ciss 480pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500000 mW

额定电压 125 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-2621

外形尺寸

封装 SOT-2621

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF278,112引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLF278,112
型号 制造商 描述 购买
BLF278,112 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5Pin CDFM Bulk 搜索库存
替代型号BLF278,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF278,112

品牌: Ampleon USA

封装: 500000mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 125V 18A 5Pin CDFM Bulk

当前型号

型号: VRF151G

品牌: 美高森美

封装: SOE-4 300000mW

功能相似

射频功率MOSFET垂直 RF POWER VERTICAL MOSFET

BLF278,112和VRF151G的区别