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BF1109WR,115

BF1109WR,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 9V 800MHz 20dB CMPAK-4


得捷:
MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4


贸泽:
RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 11V 30MA CMPAK-4 / RF Mosfet N-Channel Dual Gate 9 V 800MHz 20dB CMPAK-4


BF1109WR,115中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

漏源极电压Vds 11 V

漏源击穿电压 ±11 V

增益 20 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 11 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 SOT-343-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1109WR,115引脚图与封装图
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在线购买BF1109WR,115
型号 制造商 描述 购买
BF1109WR,115 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R 搜索库存
替代型号BF1109WR,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF1109WR,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT363 200mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R

当前型号

型号: BF1109WR

品牌: 恩智浦

封装:

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