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BLF647,112

BLF647,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 5Pin LDMOST Bulk

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 600MHz 14.5dB 120W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT540A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 5-Pin LDMOST Bulk


BLF647,112中文资料参数规格
技术参数

频率 600 MHz

耗散功率 290000 mW

输出功率 120 W

增益 14.5 dB

输入电容Ciss 80pF @28VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 290000 mW

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-540

外形尺寸

封装 SOT-540

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF647,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF647,112 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 18A 5Pin LDMOST Bulk 搜索库存