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BF1102,115

BF1102,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 800MHz 6-TSSOP


得捷:
FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin TSSOP T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6-Pin TSSOP T/R


Win Source:
FET RF 7V 800MHZ 6TSSOP / RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5 V 15 mA 800MHz 6-TSSOP


BF1102,115中文资料参数规格
技术参数

频率 800 MHz

额定电流 40 mA

耗散功率 200 mW

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1102,115引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BF1102,115 NXP 恩智浦 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 40mA 200mW 搜索库存