BF1201,215

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 15mA 400MHz 29dB SOT-143B

得捷:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143B

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R

BF1201,215中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1201,215引脚图与封装图

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