BF1202WR,135

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW

RF Mosfet N 通道双门 400MHz 30.5dB - CMPAK-4

得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 10V 30mA 200mW

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab CMPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 4DFP

BF1202WR,135中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

增益 30.5 dB

测试电流 12 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-343-4

外形尺寸

封装 SOT-343-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1202WR,135引脚图与封装图

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