锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BF1207,115

BF1207,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 30dB 6-TSSOP


得捷:
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R


BF1207,115中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

增益 30 dB

测试电流 18 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

引脚数 6

封装 SOT-143-4

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1207,115引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BF1207,115
型号 制造商 描述 购买
BF1207,115 NXP 恩智浦 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS 搜索库存
替代型号BF1207,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF1207,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: 6-TSSOP

当前型号

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS

当前型号

型号: BF1207

品牌: 恩智浦

封装:

类似代替

双N沟道双栅MOSFET Dual N-channel dual gate MOSFET

BF1207,115和BF1207的区别

型号: F1207

品牌: 恩智浦

封装:

功能相似

TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, 6 PIN, FET RF Small Signal

BF1207,115和F1207的区别