
频率 400 MHz
额定电流 30 mA
耗散功率 180 mW
增益 30 dB
测试电流 18 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 180 mW
额定电压 6 V
引脚数 6
封装 SOT-143-4
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-143-4
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BF1207,115 | NXP 恩智浦 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF1207,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: 6-TSSOP | 当前型号 | 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS | 当前型号 | |
型号: BF1207 品牌: 恩智浦 封装: | 类似代替 | 双N沟道双栅MOSFET Dual N-channel dual gate MOSFET | BF1207,115和BF1207的区别 | |
型号: F1207 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | TRANSISTOR 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, PLASTIC, SC-88, 6 PIN, FET RF Small Signal | BF1207,115和F1207的区别 |