BAS28E6433HTMA1
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
BAS28E6433HTMA1中文资料参数规格
技术参数
正向电压 1.25V @150mA
耗散功率 330 mW
反向恢复时间 4 ns
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温 150℃ Max
耗散功率Max 330 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-253-4
外形尺寸
封装 TO-253-4
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BAS28E6433HTMA1引脚图与封装图
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在线购买BAS28E6433HTMA1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BAS28E6433HTMA1 | Infineon 英飞凌 | Rectifier Diode, 2Element, 0.2A, 75V VRRM, Silicon, SOT-143, 4Pin | 搜索库存 |
替代型号BAS28E6433HTMA1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BAS28E6433HTMA1 品牌： Infineon 英飞凌 封装： REEL | 当前型号 | Rectifier Diode, 2Element, 0.2A, 75V VRRM, Silicon, SOT-143, 4Pin | 当前型号 |
| 型号： BAS28E6327HTSA1 品牌： 英飞凌 封装： SOT-143 80V 200mA | 功能相似 | Infineon 二极管 BAS28E6327HTSA1, Io=200mA, Vrev=85V, 4ns, 4引脚 SOT-143封装 | BAS28E6433HTMA1和BAS28E6327HTSA1的区别 |