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BLF4G10-160,112

BLF4G10-160,112

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A

RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 894MHz 19.7dB 160W LDMOST


得捷:
TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A


BLF4G10-160,112中文资料参数规格
技术参数

频率 894 MHz

额定电流 15 A

输出功率 160 W

增益 19.7 dB

测试电流 900 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF4G10-160,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF4G10-160,112 NXP 恩智浦 TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A 搜索库存
替代型号BLF4G10-160,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF4G10-160,112

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT502A

当前型号

TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A

当前型号

型号: BLF4G10LS-160,112

品牌: 恩智浦

封装: SOT-502B

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型号: BLF4G10LS-120,112

品牌: 恩智浦

封装: SOT-502B

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型号: BLF4G10LS-120

品牌: 恩智浦

封装: LDMOST-3 28V 650mA

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