BF1105WR,115
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
BF1105WR,115中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电流 30 mA
漏源极电压Vds 7 V
增益 20 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
额定电压 7 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343
外形尺寸
封装 SOT-343
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF1105WR,115引脚图与封装图
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在线购买BF1105WR,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF1105WR,115 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 搜索库存 |
替代型号BF1105WR,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF1105WR,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-343 | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 当前型号 |
| 型号： BF1105WR 品牌： 恩智浦 封装： SOT-343 | 功能相似 | N沟道双栅极的MOS- FET的 N-channel dual-gate MOS-FETs | BF1105WR,115和BF1105WR的区别 |