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BF1210,115

BF1210,115

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 19mA 400MHz 31dB 6-TSSOP


得捷:
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP


贸泽:
RF MOSFET Transistors TAPE-7 MOS-RFSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SOT-363 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R


BF1210,115中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

漏源击穿电压 ±6 V

增益 31 dB

测试电流 19 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-143-4

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1 mm

封装 SOT-143-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1210,115引脚图与封装图
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在线购买BF1210,115
型号 制造商 描述 购买
BF1210,115 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R 搜索库存
替代型号BF1210,115
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF1210,115

品牌: NXP 恩智浦

封装: SOT-363 180mW

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R

当前型号

型号: BF1210

品牌: 恩智浦

封装:

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