频率 800 MHz
额定电流 40 mA
耗散功率 280 mW
漏源极电压Vds 7 V
测试电流 15 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 280 mW
额定电压 7 V
引脚数 4
封装 SOT-343
封装 SOT-343
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BF909WR,115 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF909WR,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT343R 280mW | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 当前型号 | |
型号: BF909AWR,115 品牌: 恩智浦 封装: SC-82A | 类似代替 | MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | BF909WR,115和BF909AWR,115的区别 | |
型号: BF909 品牌: 恩智浦 封装: | 功能相似 | BF909 N沟道MOSFET 7V 40mA SOT-143 marking/标记 WM3 低噪声增益控制放大器 | BF909WR,115和BF909的区别 | |
型号: BF909,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-143B 200 Ta = 50CmW | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 4Pin3+Tab SOT-143B T/R | BF909WR,115和BF909,215的区别 |