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BF1202R,215

BF1202R,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 分立器件

Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 400MHz 30.5dB 200mW SOT-143R


得捷:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin SOT-143R T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 10V 30MA SOT143R


BF1202R,215中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 0.2 W

输出功率 200 mW

增益 30.5 dB

测试电流 12 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 10 V

封装参数

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1202R,215引脚图与封装图
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在线购买BF1202R,215
型号 制造商 描述 购买
BF1202R,215 NXP 恩智浦 Trans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R 搜索库存