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BF1211,215

BF1211,215

数据手册.pdf
NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS

RF Mosfet N 通道双门 5 V 15 mA 400MHz 29dB - SOT-143B


得捷:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B


贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT T/R


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143B T/R


Win Source:
MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT143B


BF1211,215中文资料参数规格
技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

极性 N-Channel

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

连续漏极电流Ids 30.0 mA

增益 29 dB

测试电流 15 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

引脚数 4

封装 TO-253-4

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.4 mm

高度 1 mm

封装 TO-253-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1211,215引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BF1211,215 NXP 恩智浦 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS 搜索库存
替代型号BF1211,215
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BF1211,215

品牌: NXP 恩智浦

封装: TO-253AA N-Channel 180mW

当前型号

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 TAPE-7 MOS-RFSS

当前型号

型号: BF1211R

品牌: 恩智浦

封装: SOT-143 6V 30mA

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