BZT52B10 RH

Taiwan Semiconductor 台湾半导体分立器件

500mW，BZT52B 系列，Taiwan Semiconductor小信号 500mW 齐纳二极管电压容差为 2% 表面安装外壳，SOD-123F ### 齐纳二极管，Taiwan Semiconductor

齐纳 500mW，BZT52B 系列，

小信号 500mW

电压容差为 2%

表面安装外壳，SOD-123F

欧时:
Taiwan Semiconductor BZT52B10 RH 单路齐纳二极管, 10V 2% 500 mW, 2引脚 SOD-123F封装

贸泽:
稳压二极管 10 Volt 410mW 2%

艾睿:
Diode Zener Single 10V 2% 500mW 2-Pin SOD-123F T/R

Allied Electronics:
Zener Diode 10V 2% 500mW SOD123F

BZT52B10 RH中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 mW

测试电流 5 mA

稳压值 10 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 SOD-123-2

外形尺寸

长度 2.7 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 SOD-123-2

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

BZT52B10 RH引脚图与封装图

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