BF904R,235

NXP(恩智浦) 主动器件

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW

RF Mosfet N 通道双门 200MHz - - SOT-143R

得捷:
MOSFET N-CH 7V 30MA SOT143

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

BF904R,235中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

测试电流 10 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 200 mW

额定电压 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-143-4

外形尺寸

封装 SOT-143-4

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF904R,235引脚图与封装图

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BF904R,235	NXP 恩智浦	射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 Dual N-Channel 7V 30mA 200mW	搜索库存