BF1218,115

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 19mA 400MHz 32dB 6-TSSOP

得捷:
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP

贸泽:
RF MOSFET Transistors Dual N-Channel 6V 30mA 180mW

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R

BF1218,115中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

阈值电压 1 V

漏源击穿电压 ±6 V

增益 32 dB

测试电流 19 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-143-4

外形尺寸

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1218,115引脚图与封装图

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