频率 200 MHz
额定电流 30 mA
耗散功率 280 mW
漏源击穿电压 ±7 V
测试电流 10 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 280 mW
额定电压 7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-343-4
长度 2.2 mm
宽度 1.35 mm
高度 1 mm
封装 SOT-343-4
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BF904WR,115 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BF904WR,115 品牌: NXP 恩智浦 封装: SOT-343R-4 | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab CMPAK T/R | 当前型号 | |
型号: BF904,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT N-Channel 7V 30mA | 功能相似 | MOSFET 晶体管,NXP semiconductors### MOSFET 晶体管,NXP Semiconductors | BF904WR,115和BF904,215的区别 | |
型号: BF904 品牌: 恩智浦 封装: SOT-143B N-Channel | 功能相似 | NXP BF904 晶体管, 射频FET, 7 V, 30 mA, 200 mW, 40 MHz, 3 GHz, SOT-143B | BF904WR,115和BF904的区别 | |
型号: BF904R,215 品牌: 恩智浦 封装: SOT-143R 200mW | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R | BF904WR,115和BF904R,215的区别 |