BF1101R,215

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 12mA 800MHz SOT-143R

得捷:
MOSFET N-CH 7V DUAL SOT143R

贸泽:
RF MOSFET Transistors Dual N-Channel 7V 30mA 200mW

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4-Pin3+Tab SOT-143R T/R

BF1101R,215中文资料参数规格

技术参数

频率 800 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 200 mW

阈值电压 1 V, 1.2 V

漏源击穿电压 ±7 V

测试电流 12 mA

额定电压 7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-143-4

外形尺寸

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1101R,215引脚图与封装图

暂无图片

在线购买BF1101R,215

型号	制造商	描述	购买
BF1101R,215	NXP 恩智浦	Trans RF MOSFET N-CH 7V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R	搜索库存