BLF177,112
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLF177,112中文资料参数规格
技术参数
频率 108 MHz
耗散功率 220000 mW
输出功率 150 W
增益 19 dB
测试电流 700 mA
输入电容Ciss 480pF @50VVds
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 220000 mW
额定电压 125 V
电源电压 50 V
封装参数
引脚数 4
封装 SOT-121
外形尺寸
封装 SOT-121
物理参数
材质 Silicon
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF177,112引脚图与封装图
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在线购买BLF177,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF177,112 | Ampleon USA | RF Power Transistor, 0.005 to 0.03GHz, 150W, 20dB, 50V, VDMOS, SOT-121B | 搜索库存 |
替代型号BLF177,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF177,112 品牌： Ampleon USA 封装： 220000mW | 当前型号 | RF Power Transistor, 0.005 to 0.03GHz, 150W, 20dB, 50V, VDMOS, SOT-121B | 当前型号 |
| 型号： VRF152 品牌： 美高森美 封装： Style 300000mW | 功能相似 | MICROSEMI VRF152 射频场效应管, 130V, M174 | BLF177,112和VRF152的区别 |