BF1109R,215
数据手册.pdfNXP(恩智浦)
主动器件
BF1109R,215中文资料参数规格
技术参数
频率 800 MHz
额定电流 30 mA
耗散功率 200 mW
阈值电压 1.2 V
漏源击穿电压 ±11 V
增益 20 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 200 mW
额定电压 11 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-143-4
外形尺寸
封装 SOT-143-4
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BF1109R,215引脚图与封装图
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在线购买BF1109R,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BF1109R,215 | NXP 恩智浦 | Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R | 搜索库存 |
替代型号BF1109R,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BF1109R,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT363 | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 11V 0.03A 4Pin3+Tab SOT-143R T/R | 当前型号 |
| 型号： BF1109R 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | BF1109R N沟道MOSFET 11V 30mA SOT-143 marking/标记 NB 低传导损耗/低开关损耗 | BF1109R,215和BF1109R的区别 |