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BLA6H0912-500,112

BLA6H0912-500,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.96 to 1.2GHz, 500W, 17dB, 50V, LDMOS, SOT-634A

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 960MHz ~ 1.22GHz 17dB 450W CDFM2


得捷:
RF FET LDMOS 100V 17DB SOT634A


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin CDFM Blister


富昌:
LDMOS 航空电子 雷达 功率晶体管


RfMW:
RF Power Transistor, 0.96 to 1.2 GHz, 500 W, 17 dB, 50 V, LDMOS, SOT-634A


BLA6H0912-500,112中文资料参数规格
技术参数

频率 960MHz ~ 1.22GHz

上升时间 20 ns

输出功率 450 W

增益 17 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 3

封装 CDFM-2

外形尺寸

封装 CDFM-2

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLA6H0912-500,112引脚图与封装图
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在线购买BLA6H0912-500,112
型号 制造商 描述 购买
BLA6H0912-500,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.96 to 1.2GHz, 500W, 17dB, 50V, LDMOS, SOT-634A 搜索库存