BCV26,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BCV26,215中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 30 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 220 MHz
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BCV26,215引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BCV26,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BCV26,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO23-6AB PNP 250mW | 当前型号 | TO-236AB PNP 30V 0.5A | 当前型号 |
| 型号： PMBTA64,215 品牌： 恩智浦 封装： TO-236AB PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 30V 0.5A | BCV26,215和PMBTA64,215的区别 |
| 型号： BCV26,235 品牌： 恩智浦 封装： TO-236 PNP 250mW | 类似代替 | TO-236AB PNP 30V 0.5A | BCV26,215和BCV26,235的区别 |
| 型号： MMBTA63LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 PNP -30V -500mA 300mW | 功能相似 | ON SEMICONDUCTOR MMBTA63LT1G 单晶体管 双极, AEC-Q101, PNP, -30 V, 125 MHz, 225 mW, -500 mA, 5000 hFE | BCV26,215和MMBTA63LT1G的区别 |