BLS7G2730LS-200PU

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.7- 3GHz, 200W, 12dB, 32V, LDMOS, SOT539B

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 32V 100mA 2.7GHz ~ 3GHz 12dB 200W SOT539B

得捷:
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT539B

艾睿:
Trans RF MOSFET 65V 5-Pin SOT-539B Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 2.7- 3.0 GHz, 200W, 12 dB, 32V, LDMOS, SOT539B

BLS7G2730LS-200PU中文资料参数规格

技术参数

频率 2.7GHz ~ 3GHz

上升时间 20 ns

输出功率 200 W

增益 12 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLS7G2730LS-200PU引脚图与封装图

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BLS7G2730LS-200PU	Ampleon USA	RF Power Transistor, 2.7- 3GHz, 200W, 12dB, 32V, LDMOS, SOT539B	搜索库存