
额定电压DC -45.0 V
额定电流 -100 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 350 mW
击穿电压集电极-发射极 45 V
最小电流放大倍数hFE 120 @2mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 220
额定功率Max 350 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.92 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.93 mm
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCX71G 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOT-23 PNP -45V -100mA | 当前型号 | 通用晶体管 General Purpose Transistor | 当前型号 | |
型号: BCW69,215 品牌: 安世 封装: TO-236AB | 功能相似 | 晶体管 双极-射频, PNP, -45 V, 100 MHz, 250 mW, -100 mA, 260 hFE | BCX71G和BCW69,215的区别 | |
型号: BCX71GE6327HTSA1 品牌: 英飞凌 封装: SOT-23 PNP 45V 100mA 0.33W | 功能相似 | SOT-23 PNP 45V 0.1A | BCX71G和BCX71GE6327HTSA1的区别 |