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BLF6G13LS-250P,112

BLF6G13LS-250P,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.005 to 1.3GHz, 250W, 17dB, 50V, LDMOS, SOT-1121B

RF Mosfet LDMOS 50V 100mA 1.3GHz 17dB 250W LDMOST


得捷:
RF MOSFET LDMOS 50V LDMOST


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 100V 42A 5-Pin CDFM Bulk


Verical:
Trans RF FET N-CH 100V 42A 5-Pin CDFM Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.005 to 1.3 GHz, 250 W, 17 dB, 50 V, LDMOS, SOT-1121B


BLF6G13LS-250P,112中文资料参数规格
技术参数

频率 1.3 GHz

输出功率 250 W

增益 17 dB

测试电流 100 mA

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 100 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-1121

外形尺寸

封装 SOT-1121

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF6G13LS-250P,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF6G13LS-250P,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.005 to 1.3GHz, 250W, 17dB, 50V, LDMOS, SOT-1121B 搜索库存