BLF2425M6LS180P,11

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 180W, 13.3dB, 28V, SOT539B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS（双），共源 2.45GHz 13.3dB 180W SOT539B

得捷:
RF FET LDMOS 65V 13.3DB SOT539B

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin SOT-539B Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 2.4 to 2.5 GHz, 180 W, 13.3 dB, 28 V, SOT539B, LDMOS

BLF2425M6LS180P,11中文资料参数规格

技术参数

频率 2.45 GHz

输出功率 180 W

增益 13.3 dB

测试电流 10 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

高度 4.7 mm

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF2425M6LS180P,11引脚图与封装图

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BLF2425M6LS180P,11	Ampleon USA	RF Power Transistor, 2.4 to 2.5GHz, 180W, 13.3dB, 28V, SOT539B, LDMOS	搜索库存