BF1206,115

NXP(恩智浦) 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R

RF Mosfet N-Channel Dual Gate 5V 18mA 400MHz 30dB 6-TSSOP

得捷:
FET RF 6V 400MHZ 6TSSOP

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R

安富利:
Two dual-gate MOS Field-Effect Transistors with shared source and gate2 pins.

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin SC-88 T/R

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6-Pin TSSOP T/R

BF1206,115中文资料参数规格

技术参数

频率 400 MHz

额定电流 30 mA

耗散功率 180 mW

漏源极电压Vds 6 V

增益 30 dB

测试电流 18 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 180 mW

额定电压 6 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-143-4

外形尺寸

宽度 1.35 mm

封装 SOT-143-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF1206,115引脚图与封装图

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BF1206,115	NXP 恩智浦	Trans RF MOSFET N-CH 6V 0.03A 6Pin TSSOP T/R	搜索库存

替代型号BF1206,115

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
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