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BLF178XRS,112

BLF178XRS,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.01 to 0.11GHz, 1400W, 29dB, 50V, LDMOS, SOT539B

RF Mosfet LDMOS(双),共源 108MHz 28dB 1400W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 110V 28DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 110V 5-Pin SOT-539B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.01 to 0.11 GHz, 1400 W, 29 dB, 50 V, LDMOS, SOT539B


BLF178XRS,112中文资料参数规格
技术参数

频率 108 MHz

输出功率 1400 W

增益 28 dB

测试电流 40 mA

输入电容Ciss 414pF @50VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 110 V

电源电压 50 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF178XRS,112引脚图与封装图
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在线购买BLF178XRS,112
型号 制造商 描述 购买
BLF178XRS,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.01 to 0.11GHz, 1400W, 29dB, 50V, LDMOS, SOT539B 搜索库存