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BLS7G3135LS-200U

BLS7G3135LS-200U

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 200W, 12dB Gain, 32V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 3.5GHz 12dB 200W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 3.1 to 3.5 GHz, 200W, 12dB Gain, 32V, SOT502B, LDMOS


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 12DB SOT502B / RF Mosfet LDMOS 32 V 100 mA 3.5GHz 12dB 200W SOT502B


BLS7G3135LS-200U中文资料参数规格
技术参数

频率 3.5 GHz

上升时间 20 ns

输出功率 200 W

增益 12 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 3A001.b.3.a.3

BLS7G3135LS-200U引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLS7G3135LS-200U Ampleon USA RF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 200W, 12dB Gain, 32V, SOT502B, LDMOS 搜索库存