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BLF8G38LS-75VU

BLF8G38LS-75VU

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 3.4 to 3.8GHz, 75W, 15.5dB, 30V, SOT1239B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 30V 600mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.5dB 20W CDFM6


得捷:
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin CDFM Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 3.4 to 3.8 GHz, 75 W, 15.5 dB, 30 V, SOT1239B, LDMOS


Win Source:
RF FET LDMOS 65V 15.5DB SOT1239B / RF Mosfet LDMOS 30 V 600 mA 3.4GHz ~ 3.6GHz 15.5dB 20W CDFM6


BLF8G38LS-75VU中文资料参数规格
技术参数

频率 3.4GHz ~ 3.6GHz

输出功率 20 W

增益 15.5 dB

测试电流 600 mA

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 30 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 SOT-1239

外形尺寸

封装 SOT-1239

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

BLF8G38LS-75VU引脚图与封装图
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在线购买BLF8G38LS-75VU
型号 制造商 描述 购买
BLF8G38LS-75VU Ampleon USA RF Power Transistor, 3.4 to 3.8GHz, 75W, 15.5dB, 30V, SOT1239B, LDMOS 搜索库存
替代型号BLF8G38LS-75VU
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF8G38LS-75VU

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 3.4 to 3.8GHz, 75W, 15.5dB, 30V, SOT1239B, LDMOS

当前型号

型号: BLF8G38LS-75VJ

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 3.4 to 3.8GHz, 75W, 15.5dB, 30V, SOT1239B, LDMOS

BLF8G38LS-75VU和BLF8G38LS-75VJ的区别