BLS6G3135S-20,112

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 20W, 15.5dB, 32V, LDMOS, SOT-608B

RF Mosfet LDMOS 32V 50mA 3.1GHz ~ 3.5GHz 15.5dB 20W CDFM2

得捷:
RF FET LDMOS 60V 15.5DB SOT608B

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 2.1A 3-Pin CDFM Bulk

富昌:
BLS6G3135 系列 3.1 - 3.0 GHz 20 W LDMOS 功率晶体管用于雷达应用

RfMW:
RF Power Transistor, 3.1 to 3.5 GHz, 20 W, 15.5 dB, 32 V, LDMOS, SOT-608B

BLS6G3135S-20,112中文资料参数规格

技术参数

频率 3.1GHz ~ 3.5GHz

额定电流 2.1 A

上升时间 20 ns

输出功率 20 W

增益 15.5 dB

测试电流 50 mA

下降时间 10 ns

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-608

外形尺寸

封装 SOT-608

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLS6G3135S-20,112引脚图与封装图

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BLS6G3135S-20,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 3.1 to 3.5GHz, 20W, 15.5dB, 32V, LDMOS, SOT-608B	搜索库存