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BLS7G2729LS-350P,1

BLS7G2729LS-350P,1

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 5Pin SOT-539B Bulk

RF Mosfet LDMOS(双),共源 32 V 200 mA 2.7GHz ~ 2.9GHz 13dB 350W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 5-Pin SOT-539B Bulk


Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 5-Pin SOT-539B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 2.7-2.9 GHz, 350 W, 13.5 dB, 32 V, LDMOS


BLS7G2729LS-350P,1中文资料参数规格
技术参数

频率 2.7GHz ~ 2.9GHz

上升时间 20 ns

输出功率 350 W

增益 13 dB

测试电流 200 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 32 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLS7G2729LS-350P,1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLS7G2729LS-350P,1 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 5Pin SOT-539B Bulk 搜索库存