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BLF8G10LS-270,112

BLF8G10LS-270,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.82 to 0.96GHz, 270W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS 28V 2A 922.5MHz ~ 957.5MHz 18.5dB 67W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Bulk


富昌:
晶体管 RF 功率 270W LDMOST


RfMW:
RF Power Transistor, 0.82 to 0.96 GHz, 270 W, 18.5 dB, 28 V, SOT502B, LDMOS


BLF8G10LS-270,112中文资料参数规格
技术参数

频率 922.5MHz ~ 957.5MHz

输出功率 67 W

增益 18.5 dB

测试电流 2 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G10LS-270,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF8G10LS-270,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.82 to 0.96GHz, 270W, 18.5dB, 28V, SOT502B, LDMOS 搜索库存