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BLF879PS,112

BLF879PS,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 500W, 20dB, 42V, SOT539B, LDMOS

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 42V 1.3A 860MHz 21dB 200W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 104V 21DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 104V 5-Pin SOT-539B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, 0.47 to 0.86 GHz, 500 W, 20 dB, 42 V, SOT539B, LDMOS


BLF879PS,112中文资料参数规格
技术参数

频率 860 MHz

输出功率 200 W

增益 21 dB

测试电流 1.3 A

输入电容Ciss 210pF @42VVds

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 104 V

电源电压 42 V

封装参数

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF879PS,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF879PS,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 0.47 to 0.86GHz, 500W, 20dB, 42V, SOT539B, LDMOS 搜索库存