BLF7G22LS-200,112

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 200W, 18.5dB, 28V, LDMOS, SOT-502B

RF Mosfet LDMOS 28V 1.62A 2.11GHz ~ 2.17GHz 18.5dB 55W SOT502B

得捷:
RF FET LDMOS 65V 18.5DB SOT502B

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Blister

Verical:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502B Bulk

RfMW:
RF Power Transistor, 2.11 to 2.17 GHz, 200 W, 18.5 dB, 28 V, LDMOS, SOT-502B

BLF7G22LS-200,112中文资料参数规格

技术参数

频率 2.11GHz ~ 2.17GHz

输出功率 55 W

增益 18.5 dB

测试电流 1.62 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

BLF7G22LS-200,112引脚图与封装图

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BLF7G22LS-200,112	Ampleon USA	RF Power Transistor, 2.11 to 2.17GHz, 200W, 18.5dB, 28V, LDMOS, SOT-502B	搜索库存