BC856S,125
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NXP
恩智浦
分立器件
BC856S,125中文资料参数规格
技术参数
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 65 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 110 @2mA, 5V
额定功率Max 300 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
外形尺寸
封装 SOT-363-6
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BC856S,125引脚图与封装图
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在线购买BC856S,125
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BC856S,125 | NXP 恩智浦 | TSSOP PNP 65V 0.1A | 搜索库存 |
替代型号BC856S,125
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BC856S,125 品牌： NXP 恩智浦 封装： 6-TSSOP PNP | 当前型号 | TSSOP PNP 65V 0.1A | 当前型号 |
| 型号： BC856S,115 品牌： 恩智浦 封装： SOT-363 PNP 400mW | 完全替代 | NXP BC856S,115 双极晶体管阵列, 双PNP, -65 V, 220 mW, -100 mA, 110 hFE, SOT-363 | BC856S,125和BC856S,115的区别 |