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BLS6G2731S-130,112

BLS6G2731S-130,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

RF Power Transistor, 2.7 to 3.1GHz, 130W, 12dB, 32V, LDMOS, SOT-922-1

RF Mosfet LDMOS 32V 100mA 2.7GHz ~ 3.1GHz 12dB 130W CDFM2


得捷:
RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 60V 33A 3-Pin CDFM Bulk


安富利:
RF Components


富昌:
BLS6G2731 系列 2.7 - 3.1 GHz 130 W LDMOS S-波段 雷达 晶体管 - SOT-922-1


RfMW:
RF Power Transistor, 2.7 to 3.1 GHz, 130 W, 12 dB, 32 V, LDMOS, SOT-922-1


BLS6G2731S-130,112中文资料参数规格
技术参数

频率 2.7GHz ~ 3.1GHz

上升时间 20 ns

输出功率 130 W

增益 12 dB

测试电流 100 mA

下降时间 6 ns

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 60 V

电源电压 32 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-922-1

外形尺寸

封装 SOT-922-1

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLS6G2731S-130,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLS6G2731S-130,112 Ampleon USA RF Power Transistor, 2.7 to 3.1GHz, 130W, 12dB, 32V, LDMOS, SOT-922-1 搜索库存