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BLF8G19LS-170BVU

BLF8G19LS-170BVU

数据手册.pdf
Ampleon USA 分立器件

Trans MOSFET N-CH 65V 7Pin SOT-1120B Bulk

RF Mosfet LDMOS(双),共源 32 V 1.3 A 1.94GHz ~ 1.99GHz 18dB 60W LDMOST


得捷:
RF FET LDMOS 65V 18DB SOT1120B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 7-Pin LDMOST Bulk


安富利:
Trans MOSFET N-CH 65V 7-Pin SOT-1120B Bulk


RfMW:
RF Power Transistor, LDMOS, 1800 - 1990 MHz, 170 W, 18dB, SOT-1120B


BLF8G19LS-170BVU中文资料参数规格
技术参数

频率 1.94GHz ~ 1.99GHz

输出功率 60 W

增益 18 dB

测试电流 1.3 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

封装参数

引脚数 7

封装 SOT-1120

外形尺寸

封装 SOT-1120

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 225℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G19LS-170BVU引脚图与封装图
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