BZB84-C3V9,215
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
BZB84-C3V9,215中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
正向电压 900mV @10mA
耗散功率 250 mW
测试电流 5 mA
稳压值 3.9 V
正向电压Max 900mV @10mA
额定功率Max 300 mW
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
温度系数 -1.75 mV/K
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BZB84-C3V9,215引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BZB84-C3V9,215
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZB84-C3V9,215 | NXP 恩智浦 | SOT-23 3.9V 300mW | 搜索库存 |
替代型号BZB84-C3V9,215
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZB84-C3V9,215 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-236-3 | 当前型号 | SOT-23 3.9V 300mW | 当前型号 |
| 型号： AZ23C3V9-7-F 品牌： 美台 封装： SOT-23-3 3.9V | 功能相似 | AZ23C3V9-7-F 编带 | BZB84-C3V9,215和AZ23C3V9-7-F的区别 |
| 型号： 2BZX84C3V9 品牌： Diotec Semiconductor 封装： | 功能相似 | 3.9V 300mW | BZB84-C3V9,215和2BZX84C3V9的区别 |
| 型号： BZB84-C3V9 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | Zener Diode | BZB84-C3V9,215和BZB84-C3V9的区别 |