锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BLF2324M8LS200PJ

BLF2324M8LS200PJ

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 2.3 to 2.4GHz, 200W, 17.2dB, 28V, LDMOS, SOT539B

RF Mosfet LDMOS Dual, Common Source 28V 1.74A 2.3GHz ~ 2.4GHz 17.2dB 60W SOT539B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 17.2DB SOT539B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin SOT-539B T/R


RfMW:
RF Power Transistor, 2.3 to 2.4 GHz, 200 W, 17.2 dB, 28 V, LDMOS, SOT539B


BLF2324M8LS200PJ中文资料参数规格
技术参数

频率 2.3GHz ~ 2.4GHz

输出功率 60 W

增益 17.2 dB

测试电流 1.74 A

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 5

封装 SOT-539

外形尺寸

高度 4.7 mm

封装 SOT-539

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF2324M8LS200PJ引脚图与封装图
暂无图片
在线购买BLF2324M8LS200PJ
型号 制造商 描述 购买
BLF2324M8LS200PJ Ampleon USA RF Power Transistor, 2.3 to 2.4GHz, 200W, 17.2dB, 28V, LDMOS, SOT539B 搜索库存
替代型号BLF2324M8LS200PJ
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF2324M8LS200PJ

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

RF Power Transistor, 2.3 to 2.4GHz, 200W, 17.2dB, 28V, LDMOS, SOT539B

当前型号

型号: BLF2324M8LS200PU

品牌: Ampleon USA

封装:

完全替代

RF Power Transistor, 2.3 to 2.4GHz, 200W, 17.2dB, 28V, LDMOS, SOT539B

BLF2324M8LS200PJ和BLF2324M8LS200PU的区别