BLF7G20LS-200,112
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLF7G20LS-200,112中文资料参数规格
技术参数
频率 1.81GHz ~ 1.88GHz
输出功率 55 W
增益 18 dB
测试电流 1.62 A
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
电源电压 28 V
封装参数
引脚数 3
封装 SOT-502
外形尺寸
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF7G20LS-200,112引脚图与封装图
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在线购买BLF7G20LS-200,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF7G20LS-200,112 | Ampleon USA | RF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502B | 搜索库存 |
替代型号BLF7G20LS-200,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF7G20LS-200,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | RF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502B | 当前型号 |
| 型号： BLF7G20LS-200,118 品牌： Ampleon USA 封装： | 完全替代 | RF Power Transistor, 1.805 to 1.88GHz, 200W, 18dB, 28V, LDMOS, SOT-502B | BLF7G20LS-200,112和BLF7G20LS-200,118的区别 |