BLF6G22LS-100,112
数据手册.pdf
Ampleon USA
主动器件
BLF6G22LS-100,112中文资料参数规格
技术参数
频率 2.11GHz ~ 2.17GHz
额定电流 29 A
输出功率 25 W
增益 18.2 dB
测试电流 950 mA
工作温度Max 225 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 65 V
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-502
外形尺寸
高度 4.72 mm
封装 SOT-502
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BLF6G22LS-100,112引脚图与封装图
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在线购买BLF6G22LS-100,112
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BLF6G22LS-100,112 | Ampleon USA | Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B Bulk | 搜索库存 |
替代型号BLF6G22LS-100,112
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BLF6G22LS-100,112 品牌： Ampleon USA 封装： | 当前型号 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B Bulk | 当前型号 |
| 型号： BLF6G22LS-100,118 品牌： Ampleon USA 封装： SOT-502B | 完全替代 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 29A 3Pin SOT-502B T/R | BLF6G22LS-100,112和BLF6G22LS-100,118的区别 |
| 型号： BLF2045,112 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | Trans RF MOSFET N-CH 65V 4.5A 3Pin LDMOST Bulk | BLF6G22LS-100,112和BLF2045,112的区别 |
| 型号： BLF6G22LS-100 品牌： 恩智浦 封装： | 功能相似 | 功率LDMOS晶体管 Power LDMOS transistor | BLF6G22LS-100,112和BLF6G22LS-100的区别 |