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BLF10M6200U

BLF10M6200U

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 700 - 1000MHz, 200W, 20dB, 28V, LDMOS, SOT502A

200 W LDMOS power transistor for ISM applications at frequencies from 700 MHz to 1000 MHz. ### Features and benefits
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Easy power control * Integrated ESD protection * Excellent ruggedness * High efficiency * Excellent thermal stability * Designed for broadband operation 700 MHz to 1000 MHz * Internally matched for ease of use * Compliant to Directive 2002/95/EC, regarding restriction of hazardous substances RoHS

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502A Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 700 - 1000 MHz, 200 W, 20 dB, 28 V, LDMOS, SOT502A


BLF10M6200U中文资料参数规格
技术参数

频率 871.5MHz ~ 891.5MHz

输出功率 40 W

增益 20 dB

测试电流 1.4 A

工作温度Max 225 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 28 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

封装 SOT-502

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF10M6200U引脚图与封装图
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在线购买BLF10M6200U
型号 制造商 描述 购买
BLF10M6200U Ampleon USA RF Power Transistor, 700 - 1000MHz, 200W, 20dB, 28V, LDMOS, SOT502A 搜索库存