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BLF7G10LS-250,112

BLF7G10LS-250,112

数据手册.pdf
Ampleon USA 主动器件

Trans RF MOSFET N-CH 65V 56A 3Pin SOT-502B Bulk

RF Mosfet LDMOS 30V 1.8A 920MHz ~ 960MHz 19.5dB 60W SOT502B


得捷:
RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502B


艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 56A 3-Pin SOT-502B Blister


RfMW:
RF Power Transistor, 0.92 to 0.96 GHz, 250 W, 19.5 dB, 30 V, LDMOS, SOT-502B


BLF7G10LS-250,112中文资料参数规格
技术参数

频率 920MHz ~ 960MHz

输出功率 60 W

增益 19.5 dB

测试电流 1.8 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 30 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF7G10LS-250,112引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
BLF7G10LS-250,112 Ampleon USA Trans RF MOSFET N-CH 65V 56A 3Pin SOT-502B Bulk 搜索库存
替代型号BLF7G10LS-250,112
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BLF7G10LS-250,112

品牌: Ampleon USA

封装:

当前型号

Trans RF MOSFET N-CH 65V 56A 3Pin SOT-502B Bulk

当前型号

型号: BLF7G10LS-250,118

品牌: Ampleon USA

封装: SOT-502B

完全替代

Trans RF MOSFET N-CH 65V 56A 3Pin SOT-502B T/R

BLF7G10LS-250,112和BLF7G10LS-250,118的区别

型号: MG200-GLP28H

品牌: Visual Communications Company

封装:

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