BLF8G10L-160,118

Ampleon USA 主动器件

RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502A

RF Mosfet LDMOS 30V 1.1A 920MHz ~ 960MHz 19.7dB 35W LDMOST

得捷:
RF FET LDMOS 65V 19.7DB SOT502A

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin SOT-502A T/R

RfMW:
RF Power Transistor, 0.92 to 0.96 GHz, 160 W, 19.7 dB, 30 V, LDMOS, SOT-502A

BLF8G10L-160,118中文资料参数规格

技术参数

频率 920MHz ~ 960MHz

输出功率 35 W

增益 19.7 dB

测试电流 1.1 A

工作温度Max 200 ℃

工作温度Min -65 ℃

额定电压 65 V

电源电压 30 V

封装参数

引脚数 3

封装 SOT-502

外形尺寸

高度 4.72 mm

封装 SOT-502

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BLF8G10L-160,118引脚图与封装图

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BLF8G10L-160,118	Ampleon USA	RF Power Transistor, 0.92 to 0.96GHz, 160W, 19.7dB, 30V, LDMOS, SOT-502A	搜索库存