BCR08PNH6327XTSA1

Infineon(英飞凌) 分立器件

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

双电阻器双数字，

得捷:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

欧时:
Infineon BCR08PNH6327XTSA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 250mW Automotive 6-Pin SOT-363 T/R

Win Source:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363

BCR08PNH6327XTSA1中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.25 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 170 MHz

耗散功率Max 250 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.8 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Last Time Buy

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BCR08PNH6327XTSA1引脚图与封装图

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BCR08PNH6327XTSA1	Infineon 英飞凌	单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3	搜索库存