
极性 NPN+PNP
耗散功率 0.25 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 70 @5mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 150 MHz
耗散功率Max 250 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.8 mm
封装 SOT-363-6
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not For New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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BCR35PNH6433XTMA1 | Infineon 英飞凌 | Infineon BCR35PNH6433XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: BCR35PNH6433XTMA1 品牌: Infineon 英飞凌 封装: 6-VSSOP NPN PNP 250mW | 当前型号 | Infineon BCR35PNH6433XTMA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 | 当前型号 | |
型号: BCR35PNH6327XTSA1 品牌: 英飞凌 封装: REEL NPN PNP 250mW | 完全替代 | Infineon BCR35PNH6327XTSA1 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 | BCR35PNH6433XTMA1和BCR35PNH6327XTSA1的区别 |